IRFSL5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A TO262
Número da pe?a NOVA:
312-2303665-IRFSL5615PBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFSL5615PBF
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-262 | |
| Número do produto base | IRFSL5615 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 33A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 21A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 144W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001567730 IFEINFIRFSL5615PBF 2156-IRFSL5615PBF |
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