SQ3427EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Número da pe?a NOVA:
312-2285486-SQ3427EV-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ3427EV-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 5.3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-TSOP | |
| Número do produto base | SQ3427 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5W (Tc) | |
| Outros nomes | SQ3427EV-T1_GE3CT SQ3427EV-T1_GE3-ND SQ3427EV-T1_GE3TR SQ3427EV-T1-GE3 SQ3427EV-T1_GE3DKR |
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