SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Número da pe?a NOVA:
312-2285508-SQ3426AEEV-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ3426AEEV-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-TSOP | |
| Número do produto base | SQ3426 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 7A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5W (Tc) | |
| Outros nomes | SQ3426AEEV-T1_GE3CT SQ3426AEEV-T1_GE3DKR SQ3426AEEV-T1-GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3-ND SQ3426AEEV-T1_GE3TR |
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