IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Número da pe?a NOVA:
312-2283288-IPB017N06N3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB017N06N3GATMA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-7 | |
| Número do produto base | IPB017 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 23000 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) | |
| Outros nomes | SP000434404 IPB017N06N3 G IPB017N06N3G IPB017N06N3 GCT IPB017N06N3 GCT-ND IPB017N06N3 G-ND IPB017N06N3GATMA1DKR IPB017N06N3 GTR-ND IPB017N06N3GATMA1TR IPB017N06N3 GDKR IPB017N06N3 GTR IPB017N06N3GATMA1CT IPB017N06N3 GDKR-ND |
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