IPB019N08N3GATMA1

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MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Número da pe?a NOVA:

312-2283558-IPB019N08N3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB019N08N3GATMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-7
Número do produto base	IPB019
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 270µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14200 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Outros nomes	IPB019N08N3GATMA1CT IPB019N08N3 G-ND IPB019N08N3 G Q4136793 IPB019N08N3 GCT IPB019N08N3 GTR-ND IPB019N08N3GATMA1TR SP000444110 2832-IPB019N08N3GATMA1-TR IPB019N08N3G IPB019N08N3 GCT-ND IPB019N08N3 GDKR-ND IPB019N08N3 GDKR IPB019N08N3GATMA1DKR