IRLD014PBF

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	4-HVMDIP
Número do produto base	IRLD014
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.7A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.4 nC @ 5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (Máx.)	±10V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	1.3W (Ta)
Outros nomes	*IRLD014PBF

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