IRFD9020PBF
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Número da pe?a NOVA:
312-2264201-IRFD9020PBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFD9020PBF
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-HVMDIP | |
| Número do produto base | IRFD9020 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 960mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) | |
| Outros nomes | *IRFD9020PBF |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
MPSA06NTE Electronics, Inc
IRLD120PBFVishay Siliconix- IRFD9110PBFVishay Siliconix
IRF9Z34NPBFInfineon Technologies- IRLD014PBFVishay Siliconix
- IRFD024PBFVishay Siliconix
