BSS119NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2264850-BSS119NH6327XTSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSS119NH6327XTSA1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT23 | |
| Número do produto base | BSS119 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 13µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20.9 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Outros nomes | BSS119NH6327XTSA1CT BSS119NH6327XTSA1TR SP000870644 BSS119NH6327XTSA1DKR |
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