BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2284349-BVSS123LT1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BVSS123LT1G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número do produto base | BVSS123 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 225mW (Ta) | |
| Outros nomes | 2156-BVSS123LT1G-OS BVSS123LT1GOSDKR BVSS123LT1GOSCT BVSS123LT1GOSTR BVSS123LT1G-ND ONSONSBVSS123LT1G |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
PMEG10010ELRXNexperia USA Inc.
BVSS84LT1Gonsemi
MMFTN123Diotec Semiconductor
BSS123TADiodes Incorporated- BSS123-7-FDiodes Incorporated
- ZXMP10A13FQTADiodes Incorporated
- SQ2325ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- BSS123Lonsemi
BSS123LT1Gonsemi- MMBT7002KDiotec Semiconductor
INA240A2QPWRQ1Texas Instruments- DMN10H220L-7Diodes Incorporated
