SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
Número da pe?a NOVA:
312-2265226-SI8819EDB-T2-E1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI8819EDB-T2-E1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 12 V 2.9A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) | |
| Número do produto base | SI8819 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 3.7V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1.5A, 3.7V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 8 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-XFBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 900mW (Ta) | |
| Outros nomes | SI8819EDB-T2-E1-ND SI8819EDB-T2-E1TR SI8819EDB-T2-E1DKR SI8819EDB-T2-E1CT |
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