SI8817DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Número da pe?a NOVA:
312-2284851-SI8817DB-T2-E1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI8817DB-T2-E1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 2.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-Microfoot | |
| Número do produto base | SI8817 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 8 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-XFBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 615 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Outros nomes | SI8817DB-T2-E1TR SI8817DB-T2-E1DKR SI8817DB-T2-E1CT SI8817DBT2E1 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NCP703MX33TCGonsemi
FT230XQ-RFTDI, Future Technology Devices International Ltd
SI8819EDB-T2-E1Vishay Siliconix
