SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2285464-SQ2337ES-T1_BE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ2337ES-T1_BE3
Embalagem padr?o:
3,000
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número do produto base | SQ2337 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SQ2337ES-T1_BE3DKR 742-SQ2337ES-T1_BE3CT 742-SQ2337ES-T1_BE3TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
FDV304Ponsemi
B360AQ-13-FDiodes Incorporated- SQ2337ES-T1_GE3Vishay Siliconix
ISL8491EIBZRenesas Electronics America Inc
DMP6350S-7Diodes Incorporated- SQ2361AEES-T1_BE3Vishay Siliconix
- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
- 2N7002E-7-FDiodes Incorporated
- BSS83PH6327XTSA1Infineon Technologies
- SQ2309ES-T1_BE3Vishay Siliconix
- DMN10H220L-7Diodes Incorporated
- DMG2302U-7Diodes Incorporated
TJA1042T/3/1JNXP USA Inc.- SQ2398ES-T1_GE3Vishay Siliconix
