SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2281111-SQ2337ES-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ2337ES-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número do produto base | SQ2337 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Tc) | |
| Outros nomes | SQ2337ES-T1_GE3TR SQ2337ES-T1_GE3DKR SQ2337ES-T1_GE3CT |
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