IXFN360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Número da pe?a NOVA:
312-2283926-IXFN360N10T
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFN360N10T
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227B | |
| Número do produto base | IXFN360 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Trench | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 360A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 180A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 505 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 36000 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 830W (Tc) |
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