SCTH35N65G2V-7AG
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Número da pe?a NOVA:
312-2299481-SCTH35N65G2V-7AG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCTH35N65G2V-7AG
Embalagem padr?o:
1,000
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | H2PAK-7 | |
| Número do produto base | SCTH35 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 45A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 208W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-SCTH35N65G2V-7AGCT 497-SCTH35N65G2V-7AGTR 497-SCTH35N65G2V-7AGDKR |
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