SCTH90N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Número da pe?a NOVA:
312-2283890-SCTH90N65G2V-7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCTH90N65G2V-7
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | H2PAK-7 | |
| Número do produto base | SCTH90 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 330W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-18352-6 497-18352-2 497-18352-1 |
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