SIA431DJ-T1-GE3

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base	SIA431
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 8 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Outros nomes	SIA431DJ-T1-GE3TR SIA431DJ-T1-GE3DKR SIA431DJ-T1-GE3CT SIA431DJT1GE3 SIA431DJ-T1-GE3-ND

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