TK125V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Número da pe?a NOVA:
312-2269754-TK125V65Z,LQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK125V65Z,LQ
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-DFN-EP (8x8) | |
| Número do produto base | TK125V65 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | DTMOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 24A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.02mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-VSFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 300 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 190W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TK125V65Z,LQDKR 264-TK125V65Z,LQDKR-ND 264-TK125V65Z,LQTR 264-TK125V65Z,LQCT 264-TK125V65ZLQTR 264-TK125V65ZLQCT 264-TK125V65Z,LQTR-ND TK125V65Z,LQ(S 264-TK125V65Z,LQCT-ND 264-TK125V65ZLQDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TK210V65Z,LQToshiba Semiconductor and Storage
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and Storage