STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Número da pe?a NOVA:
312-2289069-STH310N10F7-2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STH310N10F7-2
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | H2Pak-2 | |
| Número do produto base | STH310 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12800 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 315W (Tc) | |
| Outros nomes | STH310N10F72 497-13585-6 497-13585-1 497-13585-2 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IPB020N10N5ATMA1Infineon Technologies
STH315N10F7-2STMicroelectronics- STH240N10F7-2STMicroelectronics