IRFM120ATF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4

Número da pe?a NOVA:

312-2281484-IRFM120ATF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRFM120ATF

Embalagem padr?o:

4,000

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 2.3A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-223-4
Número do produto base	IRFM120
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 1.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	480 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	2.4W (Ta)
Outros nomes	IRFM120ATFDKR IRFM120ATFTR IRFM120ATFCT