XPW4R10ANB,L1XHQ
MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Número da pe?a NOVA:
312-2281485-XPW4R10ANB,L1XHQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
XPW4R10ANB,L1XHQ
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 70A 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-DSOP Advance | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 70A | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4970 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 170W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-XPW4R10ANB,L1XHQDKR 264-XPW4R10ANB,L1XHQTR 264-XPW4R10ANB,L1XHQCT |
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