IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2283595-IPB107N20N3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB107N20N3GATMA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-3 | |
| Número do produto base | IPB107 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 88A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.7mOhm @ 88A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) | |
| Outros nomes | IPB107N20N3 G IPB107N20N3GATMA1CT IPB107N20N3 GCT IPB107N20N3 GCT-ND IPB107N20N3 GTR-ND IPB107N20N3 G-ND SP000676406 IPB107N20N3 GTR IPB107N20N3 GDKR-ND IPB107N20N3 GDKR IPB107N20N3G IPB107N20N3GATMA1DKR IPB107N20N3GATMA1TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
LTC7001MPMSE#PBFAnalog Devices Inc.
LTC4359HMS8#PBFAnalog Devices Inc.
IPB027N10N5ATMA1Infineon Technologies
LP5907MFX-2.5/NOPBTexas Instruments- IPB107N20NAATMA1Infineon Technologies
- IPB027N10N3GATMA1Infineon Technologies
PMEG3050EP,115Nexperia USA Inc.- IPB072N15N3GATMA1Infineon Technologies
LT3092MPST#TRPBFAnalog Devices Inc.
IXTA94N20X4IXYS
