IPB072N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Número da pe?a NOVA:
312-2283557-IPB072N15N3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB072N15N3GATMA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-3-2 | |
| Número do produto base | IPB072 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5470 pF @ 75 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) | |
| Outros nomes | IPB072N15N3G IPB072N15N3GATMA1TR IPB072N15N3 GTR-ND IPB072N15N3 GCT-ND IPB072N15N3GATMA1DKR SP000386664 IPB072N15N3 G-ND IPB072N15N3GATMA1CT IPB072N15N3 G IPB072N15N3 GCT IPB072N15N3 GDKR-ND IPB072N15N3 GDKR 2156-IPB072N15N3GATMA1 INFINFIPB072N15N3GATMA1 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
MBRS3200T3Gonsemi
AUIRFS4115International Rectifier
FDMS86263Ponsemi
SN74LVC1G17MDBVREPTexas Instruments
SUM80090E-GE3Vishay Siliconix
AOB2500LAlpha & Omega Semiconductor Inc.
MCP2221A-I/MLMicrochip Technology
FDB075N15A-F085onsemi- IPB048N15N5ATMA1Infineon Technologies
PCP1208-TD-Honsemi- IPB073N15N5ATMA1Infineon Technologies
