SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Número da pe?a NOVA:
312-2263200-SI6423DQ-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI6423DQ-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-TSSOP | |
| Número do produto base | SI6423 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 400µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.05W (Ta) | |
| Outros nomes | SI6423DQ-T1-GE3CT SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 SI6423DQ-T1-GE3DKR |
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