SI6423ADQ-T1-GE3

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-TSSOP
Número do produto base	SI6423
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	168 nC @ 8 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5875 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Outros nomes	742-SI6423ADQ-T1-GE3DKR 742-SI6423ADQ-T1-GE3CT 742-SI6423ADQ-T1-GE3TR

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