IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2285076-IPN60R3K4CEATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPN60R3K4CEATMA1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT223-3 | |
| Número do produto base | IPN60R3 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | Super Junction | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 93 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5W (Tc) | |
| Outros nomes | IPN60R3K4CEATMA1DKR IPN60R3K4CEATMA1CT IPN60R3K4CEATMA1TR SP001434888 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
DMN60H080DS-7Diodes Incorporated
IPN60R1K0CEATMA1Infineon Technologies
IPN70R1K0CEATMA1Infineon Technologies- IPN60R1K5CEATMA1Infineon Technologies
