DMG4800LK3-13
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2264947-DMG4800LK3-13
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMG4800LK3-13
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252-3 | |
| Número do produto base | DMG4800 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 798 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.71W (Ta) | |
| Outros nomes | DMG4800LK313 DMG4800LK3-13DIDKR DMG4800LK3-13DICT DMG4800LK3-13DITR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
DMG4466SSS-13Diodes Incorporated
DMN3024LK3-13Diodes Incorporated
FDD6630Aonsemi
AOD442GAlpha & Omega Semiconductor Inc.
DMN3032LE-13Diodes Incorporated
TSM090N03ECP ROGTaiwan Semiconductor Corporation- AOD417Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- DMP3007LK3-13Diodes Incorporated
DMN3030LSS-13Diodes Incorporated- DMG4468LK3-13Diodes Incorporated
- DMN10H220LK3-13Diodes Incorporated
