RF4C100BCTCR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Número da pe?a NOVA:
312-2292146-RF4C100BCTCR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RF4C100BCTCR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | HUML2020L8 | |
| Número do produto base | RF4C100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.6mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerUDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1660 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) | |
| Outros nomes | RF4C100BCTCRDKR RF4C100BCTCRTR RF4C100BCTCRCT |
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