2SK1835-E
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Número da pe?a NOVA:
312-2263532-2SK1835-E
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
2SK1835-E
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 1500 V 4A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-3P | |
| Número do produto base | 2SK1835 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 2A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 Full Pack | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1500 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) | |
| Outros nomes | -1161-2SK1835-E |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
STP3N150STMicroelectronics
IXTH1N200P3IXYS
STFW3N150STMicroelectronics- STP12N120K5STMicroelectronics
- IXTH3N200P3HVIXYS
G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
IXFA6N120PIXYS
LSIC1MO170E0750Littelfuse Inc.- STFW4N150STMicroelectronics
2SK1317-ERenesas Electronics America Inc
STW3N170STMicroelectronics- STW9N150STMicroelectronics
IXTT12N150HVIXYS