PSMN2R2-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Número da pe?a NOVA:
312-2290399-PSMN2R2-40YSDX
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PSMN2R2-40YSDX
Embalagem padr?o:
1,500
N-Channel 40 V 180A (Ta) 166W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número do produto base | PSMN2R2 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 180A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5130 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 166W (Ta) | |
| Outros nomes | 1727-PSMN2R2-40YSDXCT 1727-PSMN2R2-40YSDXTR 934660734115 1727-PSMN2R2-40YSDXDKR |
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