SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Número da pe?a NOVA:
312-2280699-SIA427DJ-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIA427DJ-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Número do produto base | SIA427 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 8.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±5V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 8 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 4 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| Outros nomes | SIA427DJ-T1-GE3TR SIA427DJT1GE3 SIA427DJ-T1-GE3CT SIA427DJ-T1-GE3DKR |
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