SSM3J35AMFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Número da pe?a NOVA:
312-2361613-SSM3J35AMFV,L3F
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM3J35AMFV,L3F
Embalagem padr?o:
8,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | VESM | |
| Número do produto base | SSM3J35 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVII | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-723 | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 42 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 150mW (Ta) | |
| Outros nomes | SSM3J35AMFVL3FDKR SSM3J35AMFVL3F SSM3J35AMFVL3F(B SSM3J35AMFV,L3F(B SSM3J35AMFVL3FTR SSM3J35AMFV,L3F(T SSM3J35AMFVL3FCT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- RN2116MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- SSM3J35MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- SSM3K36MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- CPC1130NIXYS Integrated Circuits Division
- SSM3J56MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- RZM002P02T2LRohm Semiconductor
- CUS520,H3FToshiba Semiconductor and Storage
- SSM3K35AMFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- RZM001P02T2LRohm Semiconductor





