RN2116MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Número da pe?a NOVA:
304-2062328-RN2116MFV,L3F
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RN2116MFV,L3F
Embalagem padr?o:
8,000
Ficha técnica:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
| Categoria | Transistores - Bipolares (BJT) - Simples, Pré-polarizados | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | VESM | |
| Número do produto base | RN2116 | |
| Series | - | |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | |
| Resistor - Base Emissora (R2) | 10 kOhms | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | |
| Pacote / Estojo | SOT-723 | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 500nA | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50 V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100 mA | |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased | |
| Potência - Máx. | 150 mW | |
| Outros nomes | 264-RN2116MFVL3FTR 264-RN2116MFVL3FDKR RN2116MFV,L3F(B 264-RN2116MFVL3FCT |
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