PSMN4R2-80YSE

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	LFPAK56, Power-SO8
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	170A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8000 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.)	294W (Ta)
Outros nomes	1727-PSMN4R2-80YSEDKR 934662576115 1727-PSMN4R2-80YSETR 1727-PSMN4R2-80YSECT

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