SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
Número da pe?a NOVA:
312-2281534-SI1012CR-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI1012CR-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SC-75A
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-75A | |
| Número do produto base | SI1012 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 630mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 8 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-75, SOT-416 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 240mW (Ta) | |
| Outros nomes | SI1012CR-T1-GE3-ND SI1012CR-T1-GE3CT SI1012CR-T1-GE3DKR SI1012CR-T1-GE3TR |
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