DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Número da pe?a NOVA:
312-2280731-DMG1012T-7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMG1012T-7
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-523 | |
| Número do produto base | DMG1012 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 630mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-523 | |
| Vgs (Máx.) | ±6V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67 pF @ 16 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 280mW (Ta) | |
| Outros nomes | DMG1012T-7DITR DMG1012T-7DICT DMG1012T-7-ND DMG1012T7 Q4768583 DMG1012T-7DIDKR |
In stock Precisa de mais?
0,02590 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- FSUSB42MUXonsemi
- AP2331W-7Diodes Incorporated
- SN74LVC1G14DBVRTexas Instruments
- DMG1013T-7Diodes Incorporated
- DMG1012TQ-7Diodes Incorporated
- PCF8523T/1,118NXP USA Inc.
- DMG2305UX-13Diodes Incorporated







