R8001CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2273420-R8001CND3FRATL
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
R8001CND3FRATL
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252 | |
| Número do produto base | R8001 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 800 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 36W (Tc) | |
| Outros nomes | 846-R8001CND3FRATLCT 846-R8001CND3FRATLDKR 846-R8001CND3FRATLTR |
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