NVTFS6H880NTAG
MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2294525-NVTFS6H880NTAG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVTFS6H880NTAG
Embalagem padr?o:
1,500
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 6.3A (Ta), 21A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Número do produto base | NVTFS6 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta), 21A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 370 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | |
| Outros nomes | 488-NVTFS6H880NTAGDKR 488-NVTFS6H880NTAGCT NVTFS6H880NTAG-ND 488-NVTFS6H880NTAGTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- NTTFS4C13NTAGonsemi
- DMN7022LFG-7Diodes Incorporated
- NVTFS6H860NLWFTAGonsemi
- NTTFS5C670NLTAGonsemi
- AONR66922Alpha & Omega Semiconductor Inc.



