AONR66922
MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
Número da pe?a NOVA:
312-2280925-AONR66922
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
AONR66922
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 15A (Ta), 50A (Tc) 4.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | AlphaSGT™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 4.1W (Ta), 52W (Tc) | |
| Outros nomes | 785-1821-1 785-1821-2 785-1821-6 |
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