BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Número da pe?a NOVA:
303-2247489-BSM120D12P2C005
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSM120D12P2C005
Embalagem padr?o:
12
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Module | |
| Número do produto base | BSM120 | |
| Pacote / Estojo | Module | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 22mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - | |
| Recurso FET | Silicon Carbide (SiC) | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V | |
| Potência - Máx. | 780W | |
| Outros nomes | Q7641253 |
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