SI9945BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Número da pe?a NOVA:

303-2248151-SI9945BDY-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI9945BDY-T1-GE3

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Número do produto base	SI9945
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	665pF @ 15V
Potência - Máx.	3.1W
Outros nomes	SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDY-T1-GE3CT SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDYT1GE3 SI9945BDY-T1-GE3DKR

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