SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

303-2247499-SI7956DP-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI7956DP-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base	SI7956
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8 Dual
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	150V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potência - Máx.	1.4W
Outros nomes	SI7956DP-T1-GE3TR SI7956DP-T1-GE3DKR SI7956DP-T1-GE3CT SI7956DPT1GE3

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!