SI7998DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

303-2248866-SI7998DP-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI7998DP-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base	SI7998
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8 Dual
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	25A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V
Potência - Máx.	22W, 40W
Outros nomes	SI7998DP-T1-GE3DKR SI7998DPT1GE3 SI7998DP-T1-GE3TR SI7998DP-T1-GE3-ND SI7998DP-T1-GE3CT

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