SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Número da pe?a NOVA:

303-2247920-SIRB40DP-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIRB40DP-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base	SIRB40
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8 Dual
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4290pF @ 20V
Potência - Máx.	46.2W
Outros nomes	SIRB40DP-T1-GE3CT SIRB40DP-T1-GE3TR SIRB40DP-T1-GE3DKR

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