EPC2105
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Número da pe?a NOVA:
303-2243658-EPC2105
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
EPC2105
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Die | |
| Pacote / Estojo | Die | |
| Series | eGaN® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | |
| Recurso FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V | |
| Potência - Máx. | - | |
| Outros nomes | 917-1185-6 917-1185-2 917-1185-1 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
