MSCSM120AM027CD3AG

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PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3

Número da pe?a NOVA:

303-2249189-MSCSM120AM027CD3AG

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

MSCSM120AM027CD3AG

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 733A (Tc) 2.97kW (Tc) Chassis Mount D3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Microchip Technology
RoHS	1
Temperatura de operação	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D3
Número do produto base	MSCSM120
Pacote / Estojo	Module
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	733A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 360A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 9mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2088nC @ 20V
Recurso FET	Silicon Carbide (SiC)
Tipo FET	2 N Channel (Phase Leg)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	27000pF @1000V
Potência - Máx.	2.97kW (Tc)
Outros nomes	150-MSCSM120AM027CD3AG

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