CAB530M12BM3

1200V, 530A H-BRIDGE SIC MODULE
Número da pe?a NOVA:
303-2252737-CAB530M12BM3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
CAB530M12BM3
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel 1200V (1.2kV) 530A - Chassis Mount Module

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricanteWolfspeed, Inc.
RoHS 1
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor Module
Pacote / EstojoModule
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 530A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.55mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 140mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1362nC @ 4V
Recurso FETSilicon Carbide (SiC)
Tipo FET2 N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200V (1.2kV)
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 39.6nF @ 800V
Potência - Máx. -
Outros nomes1697-CAB530M12BM3
-3312-CAB530M12BM3

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!