SI1967DH-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Número da pe?a NOVA:
303-2251353-SI1967DH-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI1967DH-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-70-6 | |
| Número do produto base | SI1967 | |
| Pacote / Estojo | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.3A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490mOhm @ 910mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 8V | |
| Recurso FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V | |
| Potência - Máx. | 1.25W | |
| Outros nomes | SI1967DH-T1-GE3DKR SI1967DHT1GE3 SI1967DH-T1-GE3TR SI1967DH-T1-GE3CT |
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