SI1965DH-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Número da pe?a NOVA:

303-2251370-SI1965DH-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI1965DH-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SC-70-6
Número do produto base	SI1965
Pacote / Estojo	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	12V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 6V
Potência - Máx.	1.25W
Outros nomes	SI1965DH-T1-GE3TR SI1965DH-T1-GE3DKR SI1965DHT1GE3 SI1965DH-T1-GE3CT

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!