ZXMHC10A07N8TC

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MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

Número da pe?a NOVA:

303-2251481-ZXMHC10A07N8TC

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

ZXMHC10A07N8TC

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SO

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Diodes Incorporated
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SO
Número do produto base	ZXMHC10A07
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	800mA, 680mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 60V
Potência - Máx.	870mW
Outros nomes	ZXMHC10A07N8DITR ZXMHC10A07N8DICT ZXMHC10A07N8DIDKR

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